硅片电阻率会影响电池片的电流吗
为什么单晶硅掺镓？
为什么单晶硅掺镓？
镓主要因为其对光衰无影响，成为目前单晶硅生产工艺得主要掺杂，可是由于其分凝系数极小，成品电阻率分布区间大，符合产品电阻率要求部分较少而制约其使用发展。
一直以来，光伏行业的硅片都是掺硼的P型硅片，这是因为硼在硅中的分凝系数最接近1，最容易获得电阻率一直的P型硅片，但是这也带来一系列的问题，如硅中的硼氧复合体导致太阳能电池效率衰减很大。2017年，隆基推出电注入技术，并可以免费提供给下游电池客户使用，而所谓的电注入技术，不仅不能解决单晶的衰减问题，还需要在电池线上加一道电注入工艺，其实质是将在光伏电站运营过程中的效率降低，通过电注入这道工艺，一次性降低到位，从而在将来的光伏电站运营过程中将不再有效率降低的问题。因此，电注入这道工艺，并没有解决衰减问题。
但是，掺镓单晶和N型单晶，由于单晶体内没有掺硼，没有了BO复合体，从本质上解决了单晶衰减问题。之前，受限于设备、技术、专利，掺镓、N型单晶都没有大量推广，如今设备、技术越来越成熟，专利壁垒也将失效，掺镓、N型单晶呈星火燎原之势。
2020年3月25日，隆基绿能在官网发布单晶硅片价格公示，同时宣布隆基已取得掺镓专利授权、P型产品（掺硼和掺镓）同价。这说明隆基看好掺镓单晶技术，掺镓单晶未来或将成为光伏市场主流。同时，N型单晶设备国产化进展顺利，建设N型单晶产线的成本越来越低，掺镓、N型单晶大势所趋。
太阳能电池组件开路电压偏低是什么原因？
影响电池片开路电压的原因有多个:
1.
硅片原材料电阻率的高/低;
2.
扩散,包括扩散方块电阻,扩散污染;
3.
印刷浆料和烧结。
n型硅料有什么优势？
N型材料中的杂质对少子空穴的捕获能力低于P型材料中的杂质对少子电子的捕获能力,相同电阻率的N型CZ硅片的少子寿命比P型硅片的高出1~2个数量级,达到毫秒级。
且N型材料的少子空穴的表面复合速率低于P型材料中电子的表面复合速率,因此采用N型晶硅材料的少子空穴的复合将远低于P型的少子电子的复合
晶体管和芯片的优缺点？
芯片是由很多的晶体管及其他电子元件集成在一个硅片上的大规模集成电路，而晶体管是由半导体材料制成的管子如三极管二极管等(在我们日常接触的物质中，一类电阻率很低，容易导电的金属，属地如金，银，铜，铁，铝，等，这类物质叫做导体，另一类电阻率很高，如：玻璃，璃窗，木，这类物质叫做绝源体，但是在自然界里还有一种物质在这二种情况之间的，我们把它叫做半导体，目前制造半导体的材料主要有：锗，硅，硒等等)